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2SK3730-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 16:00:31 查看 阅读:22

2SK3730-01MR是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,适用于高频率开关应用。这款MOSFET特别设计用于高效能电源转换器,例如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流:15A
  最大漏极-源极电压:60V
  最大栅极-源极电压:±20V
  导通电阻(RDS(ON)):40mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散:150W

特性

2SK3730-01MR具备低导通电阻的特点,使得在高电流应用中能够减少功率损耗,提高整体效率。其低RDS(ON)特性还减少了导通状态下的热量产生,从而提高了系统的热稳定性。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在4V至20V之间工作,这使其能够与多种驱动电路兼容。此外,该MOSFET具有快速开关特性,适合用于高频开关应用,从而减小了外部滤波器元件的尺寸和成本。
  2SK3730-01MR的封装采用TO-220形式,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。此外,该器件还具备高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下提供更好的可靠性。
  由于其高性能特性,2SK3730-01MR被广泛用于各种电源管理系统,如服务器电源、电信设备电源以及工业控制系统的电源模块。

应用

该MOSFET主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及各类工业自动化设备中的功率控制电路。此外,2SK3730-01MR也可用于负载开关、逆变器和UPS系统等应用中。

替代型号

2SK2545, 2SK3048, IRFZ44N

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