时间：2025/8/9 17:37:47
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2SK3687-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率放大应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高效率的特点，适用于通信设备、工业电源和射频（RF）功率放大器等场景。该器件采用小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.5A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON))：约3.5Ω（典型值）
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-323（SC-70）
2SK3687-01MR MOSFET具备多项优异特性，适合高性能电子设计需求。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压特性（VDS=60V）使其在高压环境下仍能稳定工作，增强了可靠性和耐用性。此外，2SK3687-01MR的栅极结构设计优化，提供了良好的栅极控制能力，减少了开关损耗，适用于高频应用。
该MOSFET采用小型SOT-323封装，便于表面贴装，适用于高密度印刷电路板设计。同时，其热稳定性良好，在高功率工作条件下也能维持稳定的电气性能。2SK3687-01MR的制造工艺成熟，确保了器件的长期稳定性和一致性，是工业控制、通信设备和电源管理系统中的理想选择。
2SK3687-01MR MOSFET广泛应用于多个领域。在通信设备中，它常用于射频功率放大器的开关控制和信号调节。在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制小型电机、继电器和传感器的电源开关。此外，它也适用于电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关和LED驱动电路等低功率电源管理应用。由于其高频响应特性，2SK3687-01MR还可用于音频放大器和其他模拟信号处理电路。
2SK3687-01MR的替代型号包括2SK3687-01L、2SK3687-01S和2SK3687-01M，这些型号在参数和封装上相似，可根据具体需求进行选择。
