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2SK3687-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 17:37:47 查看 阅读:32

2SK3687-01MR 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频开关和功率放大应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高效率的特点,适用于通信设备、工业电源和射频(RF)功率放大器等场景。该器件采用小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):1.5A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(ON)):约3.5Ω(典型值)
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-323(SC-70)

特性

2SK3687-01MR MOSFET具备多项优异特性,适合高性能电子设计需求。其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高系统效率。该器件的高耐压特性(VDS=60V)使其在高压环境下仍能稳定工作,增强了可靠性和耐用性。此外,2SK3687-01MR的栅极结构设计优化,提供了良好的栅极控制能力,减少了开关损耗,适用于高频应用。
  该MOSFET采用小型SOT-323封装,便于表面贴装,适用于高密度印刷电路板设计。同时,其热稳定性良好,在高功率工作条件下也能维持稳定的电气性能。2SK3687-01MR的制造工艺成熟,确保了器件的长期稳定性和一致性,是工业控制、通信设备和电源管理系统中的理想选择。

应用

2SK3687-01MR MOSFET广泛应用于多个领域。在通信设备中,它常用于射频功率放大器的开关控制和信号调节。在工业自动化系统中,该MOSFET可用于控制小型电机、继电器和传感器的电源开关。此外,它也适用于电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关和LED驱动电路等低功率电源管理应用。由于其高频响应特性,2SK3687-01MR还可用于音频放大器和其他模拟信号处理电路。

替代型号

2SK3687-01MR的替代型号包括2SK3687-01L、2SK3687-01S和2SK3687-01M,这些型号在参数和封装上相似,可根据具体需求进行选择。

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