时间：2025/8/2 6:15:35
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2SK3488是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET特别适用于DC-DC转换器、电机控制以及各种开关电源电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：170A（连续）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220AB
2SK3488具有低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备高耐压特性，确保了在高电压应用中的稳定性。
该MOSFET采用了先进的工艺技术，使其能够在高温环境下稳定工作，同时具备良好的热稳定性。这种特性使其非常适合用于高功率密度设计。
2SK3488的封装形式为TO-220AB，这种封装提供了良好的散热性能，同时也便于安装和使用在各种电路板设计中。
其高输入阻抗特性减少了控制电路的负载，同时快速开关特性降低了开关损耗，提高了整体性能。
2SK3488通常用于高功率DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、电源管理系统以及各种开关电源设备。其高电流能力和低导通电阻使其成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1405PBF, FDP1405N, 2SK3487
