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FQP9N15 发布时间 时间:2025/7/2 16:17:19 查看 阅读:6

FQP9N15是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  FQP9N15的主要特点是其低的Rds(on)值(在10V栅极驱动下典型值为0.085Ω),这使得它能够在高电流条件下有效减少传导损耗,并提高整体效率。此外,它的漏源电压(Vds)为100V,连续漏极电流(Id)可达9.6A(在Tc=25°C时)。这些特性使FQP9N15成为许多中等功率应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:9.6A
  脉冲漏极电流:35A
  导通电阻(Rds(on)):0.085Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:74W
  结温范围:-55°C至+150°C
  热阻(结到环境):62°C/W

特性

FQP9N15具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:Rds(on)在10V栅极驱动下的典型值仅为0.085Ω,从而降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能:由于其较低的输入电容和输出电荷,能够实现快速开关操作,适合高频应用。
  3. 高可靠性:该器件经过严格测试,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
  4. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+150°C的结温范围,适应各种极端条件下的应用需求。
  5. TO-220标准封装:易于安装和散热设计,兼容性强。

应用

FQP9N15广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器和工业电源中的功率开关。
  2. 电机控制:用于直流无刷电机(BLDC)驱动器和伺服控制系统。
  3. 功率管理:适用于负载切换、电池保护电路和逆变器。
  4. 脉宽调制(PWM)控制器:在音频放大器和其他需要精确电流调节的应用中提供高效的功率传输。
  5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)和工厂自动化系统中的信号处理与功率转换部分。

替代型号

IRFZ44N, STP90NE06L, BUZ11

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FQP9N15参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds410pF @ 25V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件