2SK368-Y 时间：2025/7/28 14:19:17 阅读：3

2SK368-Y 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率和高稳定性的电子设备中。该晶体管采用高密度单元设计，提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于开关电源、电机控制、逆变器以及各种功率转换系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A（最大值）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约30mΩ（典型值，取决于VGS）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK368-Y MOSFET 具备多项优异的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件具有较高的额定电流能力（30A），适用于高功率需求的应用。此外，2SK368-Y 的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），可以在严苛的环境条件下稳定运行。
　　其封装形式为TO-220AB，这种封装设计具有良好的热管理和机械稳定性，便于安装在散热器上，从而有效散热，延长器件寿命。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），可以兼容多种驱动电路，提升了设计的灵活性。
　　由于采用了先进的硅片工艺和封装技术，2SK368-Y 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，并支持高频工作，适用于高频电源转换器等对响应速度要求较高的应用。其内部结构设计也增强了抗雪崩能力，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性。

应用

2SK368-Y MOSFET 广泛应用于多种功率电子系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统。由于其高电流容量和低导通电阻，该器件非常适合用于需要高效能功率开关的场合，如工业自动化控制、电动车驱动系统、太阳能逆变器以及各类消费类电子产品中的电源管理模块。
　　此外，2SK368-Y 也常用于负载开关、电源管理电路和过流保护电路中，以提高系统的整体效率和稳定性。其高可靠性和良好的热性能使其成为高要求工业和汽车应用中的理想选择。