时间：2025/7/11 12:40:42
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RF15N4R7C500CT 是一款高性能射频 (RF) 场效应晶体管 (FET)，主要应用于高频放大器和开关电路。该器件采用氮化镓 (GaN) 技术，具有高功率密度、高效率以及宽禁带半导体材料带来的卓越性能。其设计适用于通信基站、雷达系统以及其他需要高频率和高功率输出的场合。
RF15N4R7C500CT 在工作频率范围内的增益表现优异，并且具备出色的线性度和稳定性，从而满足现代无线通信对效率和可靠性的严格要求。
型号：RF15N4R7C500CT
类型：射频场效应晶体管 (RF FET)
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压 (Vds)：100 V
最大栅源电压 (Vgs)：±8 V
漏极饱和电流 (Ids)：7 A
击穿电压 (BVdss)：150 V
输出功率：500 W
工作频率范围：DC 至 6 GHz
导通电阻 (Rds(on))：35 mΩ
封装形式：陶瓷气密封装
RF15N4R7C500CT 的核心优势在于其基于氮化镓技术的设计，这种材料能够显著提升器件在高频和高功率条件下的性能。以下为其主要特性：
1. 高功率密度：得益于 GaN 材料的使用，该器件能够在较小的体积内提供高达 500W 的输出功率。
2. 宽带操作能力：其工作频率范围从直流到 6GHz，覆盖了大部分现代通信系统的频段需求。
3. 高效率：在典型应用条件下，该器件可实现超过 70% 的功率附加效率 (PAE)，有效降低能耗。
4. 热性能优越：GaN 材料的高热导率确保了器件即使在高负载下也能保持良好的散热性能。
5. 可靠性强：经过严格的测试验证，该器件能够在恶劣环境下长期稳定运行。
RF15N4R7C500CT 广泛应用于需要高功率和高频率性能的领域，包括但不限于：
1. 无线通信基站：
- LTE/5G 基站中的功率放大器
- 微波链路设备中的射频模块
2. 军事与航空航天：
- 雷达系统中的发射机部分
- 卫星通信中的高功率放大器
3. 工业与科学：
- 医疗成像设备中的射频激励源
- 工业加热设备中的高频电源模块
RF15N4R7C400CT
RF15N4R7C600CT
