时间：2025/8/9 18:25:38
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2SK3674-01S-TE24R是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等电路中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.0A（最大值）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.8Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SC-89（SOT-323）表面贴装封装
功率耗散（PD）：200mW
栅极电荷（Qg）：4.5nC（典型值）
2SK3674-01S-TE24R是一款低导通电阻、高可靠性的N沟道MOSFET，采用了先进的沟槽栅极结构技术，提升了器件的导通性能和开关速度。该器件具有优异的热稳定性和低功耗特性，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式为小型表面贴装封装（SOT-323），适用于高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。此外，该MOSFET具有较强的抗静电能力和高耐用性，能够承受较高的漏源电压和栅源电压，确保在复杂电路环境下的稳定运行。
2SK3674-01S-TE24R广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备、工业控制电路、电机驱动器以及各类开关电路。其小型封装和高性能特性使其特别适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子产品中。
2SK3674-01S-TE24R的替代型号包括2SK3674-01S-TE24、2SK3674-01S、2SK3674-01S-TE12等，具体选用需根据电路设计和封装要求进行匹配。
