您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF9530NSTRLPBF

IRF9530NSTRLPBF 发布时间 时间:2025/5/13 8:32:56 查看 阅读:2

IRF9530NSTRLPBF是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于功率电子电路中。该器件采用TO-220封装形式,具有较高的漏源电压和持续电流能力。它适用于多种电源管理场景,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。该MOSFET因其高效率、低导通电阻和快速开关特性而备受青睐。
  IRF9530NSTRLPBF的主要特点是其出色的耐用性和可靠性,在高温和高压条件下也能保持稳定性能。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:9.2A
  脉冲漏极电流:43A
  导通电阻:0.28Ω
  栅极电荷:37nC
  总功耗:117W
  工作温度范围:-65℃至+150℃

特性

IRF9530NSTRLPBF的导通电阻较低,有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外,其快速开关特性和低输入电容使其非常适合高频应用。该器件还具备出色的热稳定性,能够在极端温度条件下长时间运行。由于其采用了先进的制造工艺,IRF9530NSTRLPBF拥有较强的抗雪崩能力和鲁棒性,能够承受短暂的过载和异常情况。
  此外,其漏源电压为100V,适合中等电压范围的应用场景。对于需要较高电流的应用,9.2A的连续漏极电流能力提供了足够的裕量。这些特点共同使得IRF9530NSTRLPBF成为许多功率转换设计中的理想选择。

应用

IRF9530NSTRLPBF常见于各类功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效功率转换。
  2. 电机驱动:控制直流电机的速度和方向。
  3. DC-DC转换器:实现不同电压等级之间的转换。
  4. 负载开关:在系统中动态管理功率分配。
  5. 逆变器:将直流电转换为交流电。
  6. 电池管理系统:保护电池免受过充或过放的影响。
  由于其稳健的设计和宽泛的工作条件,IRF9530NSTRLPBF非常适合工业、汽车和消费类电子产品中的多种用途。

替代型号

IRF9530N, IRF9530NPBF

IRF9530NSTRLPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF9530NSTRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF9530NSTRLPBF-NDIRF9530NSTRLPBFTR