时间：2025/8/9 13:32:14
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2SK3602-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源系统设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25°C）
功耗（Pd）：200W
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220AB
2SK3602-01采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽工艺，具有极低的导通电阻和优异的热稳定性，使得该器件在高温环境下依然能够保持稳定的性能。其高电流容量和低开关损耗特性使其非常适合用于高频开关电源和电机驱动系统。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，提高了系统在异常工作条件下的可靠性。器件内部的栅极结构经过优化设计，降低了输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），从而减少了开关损耗并提升了高频响应能力。同时，其封装采用高散热性能的TO-220AB形式，有助于快速散热，延长器件使用寿命。
该器件常用于各类高功率密度电源系统中，例如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、电动工具、电池管理系统以及电机控制电路。由于其优异的导通特性和高频响应能力，也广泛应用于同步整流电路和负载开关控制中。
2SK3602-01的替代型号包括2SK3602, 2SK3602-01L
