2SK3600-01S 时间：2025/8/9 12:05:48 阅读：23

2SK3600-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用小型SOP（小外形封装）设计，适合表面贴装，有助于节省PCB空间并提高制造效率。该MOSFET专为低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度而设计，使其适用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及电机控制等应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP8

特性

2SK3600-01S具备一系列优异的电气特性和设计优势，确保其在复杂电源系统中的稳定运行。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在高电流条件下显著降低了功率损耗和热量生成，从而提高了系统效率。此外，该MOSFET支持高栅极电压（最高±20V），确保在不同驱动条件下都能实现稳定的导通状态。
　　该器件采用了东芝先进的功率MOSFET制造工艺，优化了开关特性和热性能，使其在高频开关应用中表现优异。SOP8封装设计不仅减小了PCB空间占用，还通过优化引线布局降低了寄生电感，从而减少开关过程中的电压尖峰和EMI干扰。
　　器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性，适用于各种工业环境。此外，2SK3600-01S符合RoHS环保标准，支持无铅工艺，符合现代电子产品对环保和可持续性的要求。

应用

2SK3600-01S广泛应用于多种电源管理和开关控制场景。在DC-DC转换器中，该MOSFET作为主开关器件，能够高效地实现电压转换，适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等对效率和空间有严格要求的系统。此外，在电池管理系统中，该器件用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。
　　该MOSFET也可用于负载开关电路，例如智能电源管理模块，实现对不同负载的快速通断控制。在电机控制应用中，如电动工具或小型机器人，2SK3600-01S能够提供高效率的功率输出，并具备良好的热管理和过载保护能力。
　　由于其小型化和高可靠性，2SK3600-01S也适用于便携式电子设备、LED照明系统以及工业自动化控制系统中。