类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6A（在25℃）
　　功耗(Pd)：2W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：TSMT6（TSSOP）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值27mΩ（在Vgs=10V时）
　　阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 2.5V

2SK3535-01-TE24L 具有多种优良的电气和机械特性，使其在电源管理和功率控制领域中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使其在小封装中仍能保持良好的热稳定性和电流处理能力。
　　此外，该器件的栅极绝缘性能优良，可承受高达±20V的栅源电压，提升了器件的可靠性和抗干扰能力。其1V至2.5V的阈值电压设计使其适用于多种驱动电路，确保在不同的控制信号下都能实现快速、稳定的导通与关断。
　　该MOSFET的TSMT6（TSSOP）封装具有较小的体积和优良的散热性能，非常适合在高密度PCB设计中使用。同时，其工作温度范围广泛，从-55℃到150℃，能够在各种环境条件下稳定工作，适用于工业级和消费类电子设备。

2SK3535-01-TE24L MOSFET广泛应用于多种电源管理和功率控制场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及各类电源管理模块。由于其低导通电阻和优良的热性能，该器件特别适合用于需要高效率和小尺寸封装的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。
　　此外，该MOSFET也可用于电机驱动电路、LED照明调光系统和各类开关电源设备。在汽车电子系统中，它可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源管理系统。其宽工作温度范围和高可靠性也使其适用于工业自动化设备、智能电表和网络通信设备等对稳定性和耐久性要求较高的应用场景。

Si2302DS, 2SK3535-01-TE24, 2SK3535-01-TE24L替代型号包括2SK3535-01-TE24和Si2302DS等具有相似电气特性的MOSFET。