2SK3526是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高电流容量的特点,适用于需要高效率和高性能的电子系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):60V
最大栅极电压(VGSS):±20V
最大漏极电流(ID):15A
导通电阻(RDS(on)):约0.035Ω(典型值)
最大功耗(PD):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
2SK3526具有低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。该器件的高电流容量使其能够承受较大的负载电流,适用于大功率应用。此外,它具有良好的热稳定性,能够在较高的温度下稳定工作。其封装形式为TO-220,便于安装和散热管理,适用于各种工业和消费类电子产品。
由于其高耐压特性,2SK3526能够在较高的电压环境下正常运行,避免因电压波动而导致的器件损坏。它的栅极驱动电压范围较宽,适应性强,能够在不同的驱动条件下保持稳定的性能。同时,2SK3526的开关速度较快,能够满足高频开关应用的需求,从而减小外围电路的体积并提高系统的响应速度。
2SK3526常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及各种电源管理和功率控制电路中。其高效率和高可靠性的特点使其成为工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中的理想选择。
2SK3527, IRFZ44N, FDPF4N60NF