时间：2025/9/2 20:23:55
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H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和嵌入式系统设计，提供高速数据传输和较低的功耗。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，适合用于智能手机、平板电脑、高性能计算设备等对内存要求较高的应用领域。
容量：8GB
数据速率：3200Mbps
封装类型：BGA
电源电压：1.1V（核心），1.8V（I/O）
接口类型：LPDDR4
温度范围：-40°C至+85°C
工作频率：1600MHz
数据宽度：16位
H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 具备多项先进特性，使其在现代电子设备中表现出色。首先，该芯片支持3200Mbps的高数据速率，使其能够满足高性能计算和多媒体处理的需求。其次，该芯片采用低功耗设计，核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，有效延长了移动设备的电池续航时间。
此外，该芯片采用了先进的DRAM技术，确保了数据的稳定性和可靠性。其BGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了电气性能和热管理能力，适合在紧凑型设备中使用。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
在时钟频率方面，H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 支持高达1600MHz的频率，从而实现了高效的数据传输和处理能力。其16位数据宽度设计进一步提升了内存带宽，适用于需要大量数据处理的应用场景。该芯片还支持多种低功耗模式，如自刷新、深度掉电模式等，能够根据系统需求动态调整功耗，优化整体能效。
H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 广泛应用于各类高性能移动设备和嵌入式系统中。它常被用于智能手机和平板电脑中，为操作系统、应用程序和多媒体内容提供高速缓存支持。此外，该芯片也适用于高端可穿戴设备、AR/VR设备以及车载信息娱乐系统，满足这些设备对高性能内存的需求。
在工业控制和自动化设备中，该芯片可用于嵌入式控制系统，提供快速的数据处理和存储能力。它还可用于高性能网络设备，如路由器和交换机，以支持高速数据转发和缓存处理。
对于物联网（IoT）设备和边缘计算平台，H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 提供了低功耗与高性能的平衡，使其成为智能终端、工业传感器和远程监控设备的理想选择。
H9HKNNNBPMMUMR-N71M
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H9HMNNNBPUMUFR-N71M
