H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,专为移动设备和嵌入式系统设计,提供高速数据传输和较低的功耗。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,适合用于智能手机、平板电脑、高性能计算设备等对内存要求较高的应用领域。
容量:8GB
数据速率:3200Mbps
封装类型:BGA
电源电压:1.1V(核心),1.8V(I/O)
接口类型:LPDDR4
温度范围:-40°C至+85°C
工作频率:1600MHz
数据宽度:16位
H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 具备多项先进特性,使其在现代电子设备中表现出色。首先,该芯片支持3200Mbps的高数据速率,使其能够满足高性能计算和多媒体处理的需求。其次,该芯片采用低功耗设计,核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V,有效延长了移动设备的电池续航时间。
此外,该芯片采用了先进的DRAM技术,确保了数据的稳定性和可靠性。其BGA封装形式不仅提高了封装密度,还增强了电气性能和热管理能力,适合在紧凑型设备中使用。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛环境条件下的应用。
在时钟频率方面,H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 支持高达1600MHz的频率,从而实现了高效的数据传输和处理能力。其16位数据宽度设计进一步提升了内存带宽,适用于需要大量数据处理的应用场景。该芯片还支持多种低功耗模式,如自刷新、深度掉电模式等,能够根据系统需求动态调整功耗,优化整体能效。
H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 广泛应用于各类高性能移动设备和嵌入式系统中。它常被用于智能手机和平板电脑中,为操作系统、应用程序和多媒体内容提供高速缓存支持。此外,该芯片也适用于高端可穿戴设备、AR/VR设备以及车载信息娱乐系统,满足这些设备对高性能内存的需求。
在工业控制和自动化设备中,该芯片可用于嵌入式控制系统,提供快速的数据处理和存储能力。它还可用于高性能网络设备,如路由器和交换机,以支持高速数据转发和缓存处理。
对于物联网(IoT)设备和边缘计算平台,H9TKNNNBPDMRAR-NGHR 提供了低功耗与高性能的平衡,使其成为智能终端、工业传感器和远程监控设备的理想选择。
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