型号：2SK3519
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：14A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：56A
　　导通电阻RDS(on)：17mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压Vth：2.0V～4.0V
　　输入电容Ciss：2200pF（@VDS=30V）
　　输出电容Coss：550pF（@VDS=30V）
　　反向传输电容Crss：100pF（@VDS=30V）
　　栅极电荷Qg：58nC（@VGS=10V）
　　功耗PD：50W
　　工作结温范围Tj：-55℃～+150℃
　　封装形式：SOP Advance（带散热片）

2SK3519采用东芝先进的沟槽结构硅栅极技术，这种设计显著降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了RDS(on)仅为17mΩ的优异表现。低导通电阻意味着在大电流通过时产生的焦耳热更少，能够有效减少能量损耗，提升电源系统的整体效率。同时，该器件具备较高的电流承载能力，在TC=25℃条件下可承受高达14A的连续漏极电流，瞬态脉冲电流更可达56A，适用于需要短时高负载输出的应用场景。
　　该MOSFET具有优良的开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg=58nC）和合理的电容匹配（Ciss、Coss、Crss），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的动态损耗，提升了转换效率。此外，其输入电容与反向传输电容之间的平衡优化了噪声抑制能力和抗干扰性能，有助于提高系统稳定性。
　　2SK3519还具备良好的热性能，采用带有散热片的SOP Advance封装，增强了器件的散热能力，确保长时间高负荷运行下的可靠性。该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛的环境温度下稳定工作。同时，它具备较强的抗雪崩能力，能够在突发过压或感性负载关断时提供一定程度的自我保护，延长使用寿命。
　　该MOSFET的栅源电压额定值为±20V，提供了足够的驱动兼容性，可与多种标准驱动IC配合使用。其阈值电压范围（2.0V～4.0V）适合3.3V或5V逻辑电平驱动，便于在现代低电压控制系统中直接控制，无需额外电平转换电路。综合来看，2SK3519是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和稳定性有较高要求的设计场景。

2SK3519广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，尤其适用于同步整流型DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）拓扑结构。其低导通电阻和快速开关特性有助于显著提升电源转换效率，减少发热，特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、路由器、机顶盒等便携式或嵌入式设备的板级电源管理模块。
　　在电池供电系统中，例如电动工具、无人机和移动储能设备中，2SK3519可用于电池充放电控制电路或马达驱动H桥电路中的开关元件，凭借其高电流能力和良好热稳定性，保障系统在高负载工况下的安全运行。
　　此外，该器件也常用于LED驱动电源、LCD背光控制电路以及各类工业控制板卡中的负载开关应用。在这些场合中，2SK3519不仅能实现快速响应的通断控制，还能通过低损耗传导延长电池续航时间或降低系统散热需求。
　　由于其表面贴装封装形式，2SK3519支持自动化贴片生产，适用于大规模SMT工艺，有利于提高生产效率和产品一致性。因此，在消费电子、通信设备、工业自动化和汽车电子外围电源系统中均有广泛应用前景。

TPH3R30ANH,CSD17570Q5B,FDMS7680,SI4400DY