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2SK3504-01 发布时间 时间:2025/8/9 18:15:24 查看 阅读:24

2SK3504-01是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率放大器等高功率需求的电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和高耐压特性,使其非常适合用于高效能电源转换系统。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):150A
  导通电阻(Rds(on)):约2.5mΩ(典型值)
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

2SK3504-01具备多项关键特性,适用于高功率应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。其次,该器件的高电流承载能力(最大连续漏极电流为150A)使其能够支持高功率负载,适用于大电流开关应用。
  此外,2SK3504-01采用了TO-247封装,这种封装形式具有良好的散热性能,能够有效管理高功率操作下的热量。其高耐压能力(最大漏源电压为60V)使其适用于中高压电源系统,如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块。
  该MOSFET还具有快速开关特性,减少了开关过程中的能量损耗,有助于提高整体系统的响应速度和效率。此外,其宽工作温度范围(-55°C至150°C)使其能够在各种环境条件下稳定运行,适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

2SK3504-01广泛应用于各种高功率电子系统中。在电源管理领域,该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统,其高效率和低导通电阻特性有助于提升电源转换效率并减少热量产生。
  在电机控制和驱动电路中,2SK3504-01可用于高功率直流电机的开关控制,提供快速响应和稳定运行。同时,其高电流承载能力使其适用于大功率负载的开关控制,如工业自动化设备中的电磁阀、继电器和执行机构。
  在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)和电动车(EV)的电池管理系统。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
  此外,2SK3504-01还可用于音频功率放大器、高频开关电源(SMPS)和逆变器等应用,其快速开关特性和高耐压能力使其在这些高性能电子系统中表现出色。

替代型号

SiHF60N100E, IRF150

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