时间：2025/8/9 15:29:35
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2SK3501-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用。这款MOSFET设计用于高效率的电源转换系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电池管理系统。该器件采用高密度单元设计，以实现更低的导通电阻和更高的电流处理能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220AB
导通电阻(Rds(on))：约0.028Ω（典型值，Vgs=10V）
2SK3501-01 MOSFET具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中具有更低的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电源设计，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。
其栅极设计允许在宽范围的栅极电压下稳定工作，确保了在不同驱动条件下的一致性能。同时，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下维持稳定运行，减少了对额外散热措施的依赖。
在可靠性方面，2SK3501-01采用了东芝的先进制造工艺，具有较高的耐用性和长期稳定性，适用于各种工业和消费类电子应用。
2SK3501-01广泛应用于多种电源管理与转换系统，包括但不限于：开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动电路、电池充电器以及高效率的LED照明驱动系统。由于其具备较高的电流处理能力和良好的热稳定性，该器件也常用于需要高可靠性的工业控制设备和嵌入式系统中。
SiHF60N06E、IRFZ44N、FDP6030L、2SK3562、2SK3502
