类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　应用：射频（RF）电路
　　容值：2 pF
　　容差：±0.5 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603（公制 1608）
　　介质材料：NPO（C0G）
　　额定电压：50 V
　　自谐振频率（SRF）：约 1.2 GHz
　　Q值（品质因数）：≥ 1000

AT002D6-31 的核心特性之一是其使用 NPO（C0G）介质材料，这赋予了它极其稳定的电性能，特别是在宽温度范围内保持电容值不变。NPO 材料的温度系数接近于零，使得该电容器非常适合用于温度变化较大的环境中。此外，该电容器具有非常高的 Q 值（品质因数），通常大于 1000，这意味着它在射频应用中能够提供极低的损耗和高效的能量传输。
　　AT002D6-31 的自谐振频率（SRF）约为 1.2 GHz，使其在 GHz 级别的高频应用中仍能保持良好的性能。这使得它非常适合用于射频滤波器、阻抗匹配网络、天线调谐电路以及高频放大器中的旁路或耦合功能。此外，该电容器的封装尺寸为 0603（1608 公制），属于小型化表面贴装器件，适用于高密度 PCB 布局。
　　该电容器的额定电压为 50 V，能够承受一定的功率波动，适用于中高功率射频应用。其低 ESR（等效串联电阻）和低 ESL（等效串联电感）也进一步提高了其在高频下的性能，减少了信号损耗和热噪声。AT002D6-31 的这些特性使其成为射频和微波电路设计中的理想选择。

AT002D6-31 主要用于射频和微波电子系统中，尤其是在需要高稳定性和低损耗的电路中。典型应用包括射频放大器的旁路电容、射频滤波器的调谐元件、天线匹配网络、射频测试设备中的精密电容元件、无线通信系统中的射频前端模块等。由于其优异的高频性能和稳定性，该电容器也被广泛用于航空航天、国防电子、医疗射频设备和高精度测试仪器等对可靠性要求极高的领域。

ATC 100B2R0CW104X, AVX 06035A203JAT2A, Kemet C0805C203J5RACTU