SE05D5S21HZ 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先进的制造工艺设计,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点,能够有效提高系统的效率并降低功耗。
SE05D5S21HZ 采用了 TO-220 封装形式,适合高功率密度的应用场景,并且具备良好的散热性能。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压 VDS:60V
最大栅源电压 VGS:±20V
连续漏极电流 ID:42A
导通电阻 RDS(on):4.5mΩ(在 VGS=10V 时)
总功耗:175W
结温范围:-55℃ 至 +175℃
SE05D5S21HZ 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),可显著减少传导损耗。
2. 快速开关特性,适用于高频应用。
3. 高击穿电压确保了其在高压环境下的稳定性。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,支持长时间运行。
5. 内置反向二极管,进一步优化了电路性能。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
SE05D5S21HZ 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动控制,例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统,如启动马达、燃油泵等。
5. LED 照明驱动电路中的功率管理元件。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制组件。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5800