2SK3486 时间：2025/9/21 13:01:42 阅读：9

2SK3486是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他高效率功率转换场合。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。2SK3486通常封装在TO-220或TO-220FP等标准功率封装中，便于安装散热片以提高其在高功率环境下的可靠性。该MOSFET设计用于在高电压条件下工作，具备较高的漏源击穿电压，使其适用于多种工业与消费类电子设备中的功率管理电路。
　　由于其优良的电气特性，2SK3486常被用作高频开关元件，在节能型电源系统中发挥重要作用。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，从而提升整个系统的安全性和耐用性。为了确保最佳性能，建议在使用时配合合适的栅极驱动电路，并注意热管理设计，防止因温升过高而导致器件损坏或寿命缩短。

参数

型号：2SK3486
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220FP
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　功耗（Pd）：100 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65 Ω（最大值，@ Vgs=10V, Id=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：520 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：90 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 40 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

2SK3486具备多项优异的电气与物理特性，使其成为中高压功率应用中的理想选择。首先，其高达500V的漏源击穿电压允许它在高电压环境下稳定工作，适用于AC-DC整流后级的开关电路以及离线式电源设计。其次，该器件拥有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为0.65Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体电源转换效率，特别是在持续大电流工作的场景下表现尤为突出。
　　该MOSFET采用了优化的硅晶圆制造工艺，实现了快速开关响应能力，输入电容和输出电容分别仅为520pF和90pF，这意味着在高频操作中所需的驱动能量更少，有利于降低驱动电路的设计复杂度并提升系统效率。同时，较短的反向恢复时间（trr ≈ 40ns）减少了体二极管在关断过程中的反向恢复电荷，降低了开关瞬间的电压尖峰和电磁干扰（EMI），这对于提升电源系统的EMC性能至关重要。
　　2SK3486还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大功耗可达100W，且结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境温度下长期运行。TO-220FP封装形式提供了优良的散热路径，支持外接散热器进行强制冷却，进一步增强了其在高负载条件下的耐久性。此外，器件内部结构经过优化，具有一定的抗雪崩能力，能够在突发过压或感性负载切断时吸收一定能量而不致立即失效，提升了系统鲁棒性。
　　在实际应用中，2SK3486对栅极驱动信号的要求适中，阈值电压范围为3.0V~5.0V，兼容多数常见的PWM控制器输出逻辑电平，但推荐使用10V左右的栅源电压以确保完全导通，最大限度地降低Rds(on)。综合来看，这些特性使2SK3486在工业电源、照明镇流器、UPS系统及小型逆变器等领域具有广泛应用前景。

应用

2SK3486主要应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源、服务器电源模块等，在这些设备中作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和高开关速度来实现高能效转换。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在输入电压较高（例如300V以上）的应用场景下，凭借其500V的耐压能力表现出色。在光伏逆变器、小型不间断电源（UPS）和电池管理系统中，2SK3486可用于直流侧的功率切换与能量调控环节。
　　工业控制领域也是其重要应用方向之一，例如在电机驱动电路中作为H桥结构的一部分，控制直流电机或步进电机的正反转与调速。由于其具备较强的电流承载能力和良好的热稳定性，适合长时间连续运行的工业设备使用。
　　另外，2SK3486还可用于电子镇流器、LED驱动电源、电焊机电源模块以及感应加热设备中的功率开关部分。在这些应用中，器件的快速开关特性和低损耗优势能够显著提升系统效率并减少发热问题。总体而言，凡是涉及中高压、中等电流、高频开关操作的功率变换场合，2SK3486都是一种可靠且经济的选择。