IS46R16160F-6TLA1-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款器件具有16位的数据总线宽度和16MB的存储容量,采用先进的CMOS工艺制造,适用于高性能系统和嵌入式应用。IS46R16160F-6TLA1-TR 以其高速存取时间和低功耗特性,广泛用于需要快速数据访问和稳定存储的场景。
存储类型:异步SRAM
容量:16MB(1M x 16)
组织方式:1M地址,每个地址16位数据
访问时间:5.4ns
电源电压:3.3V
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:TSOP
引脚数:54
数据总线宽度:16位
封装尺寸:54-TSOP
封装材料:塑料
最大时钟频率:无(异步)
输入/输出电平:CMOS
功耗(典型值):约1.2W
IS46R16160F-6TLA1-TR 的主要特性包括其高速存取能力,访问时间仅为5.4ns,这使得它在需要快速数据读写的应用中表现优异。该芯片采用低功耗设计,在保持高性能的同时减少了系统整体的能耗,非常适合用于电池供电或对功耗敏感的设备。其16位宽的数据总线支持高速数据传输,适用于高速缓存、缓冲存储和实时数据处理等场景。
此外,该SRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的抗噪能力和稳定性,能够在工业级温度范围内可靠运行。TSOP封装形式有助于减小PCB空间占用,适合高密度电路板设计。由于其异步操作特性,无需时钟信号控制,简化了系统设计,降低了控制复杂度。
IS46R16160F-6TLA1-TR 还具备自动数据保持功能,在掉电情况下能够通过外部控制信号保持数据,适用于需要临时数据保存的应用。其广泛的应用领域包括通信设备、网络设备、工业自动化、测试设备和嵌入式系统等。
IS46R16160F-6TLA1-TR 常用于高性能嵌入式系统、网络路由器和交换机、工业控制设备、测试测量仪器、图像处理模块以及需要高速缓存或临时数据存储的设备。它也适用于作为微处理器或DSP的高速缓存,提升系统运行效率。
IS46R16160F-6TLL1-TR, CY62167EV30LL-55BZS, IDT71V124SA90PFGI, IS46R16256A-6TLA1-TR