时间：2025/9/7 4:48:07
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2SK3464是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET专为高效率和低导通电阻而设计，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：120A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（最大值）
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散（PD）：150W
2SK3464具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式结构设计，确保了卓越的导通性能和热稳定性。此外，它还具备较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
2SK3464的封装设计（TO-220AB）提供了良好的散热性能，有助于在高功率操作下保持稳定的工作温度。其栅极驱动电压范围宽广，适用于多种驱动电路，并具有良好的抗干扰能力。该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适合高频应用环境。
2SK3464常用于各种功率电子设备中，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和工业控制电路。由于其高效率和高可靠性，它也适用于汽车电子和便携式设备中的电源管理模块。
SiHF120N03LT、IRF120N03L、FDMS86180、2SK3465
