时间：2025/9/2 9:21:25
阅读：5
H5RS5223CFR-NOC 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能和低功耗应用设计。该芯片属于移动DRAM类别，常用于移动设备、嵌入式系统和便携式电子产品中。
容量：256MB
数据宽度：16位
封装类型：FBGA
工作电压：1.8V
时钟频率：200MHz
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C至85°C
H5RS5223CFR-NOC 具备高性能和低功耗的特性，适用于对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统。
其256MB的容量和16位的数据宽度使其能够支持多种数据密集型应用，同时保持较高的数据传输效率。
芯片采用FBGA封装技术，具有较小的封装尺寸，适合紧凑型设计的电子产品。
1.8V的工作电压有助于降低整体功耗，延长设备的电池寿命。
200MHz的时钟频率和5.4ns的访问时间确保了快速的数据处理能力，适用于需要高带宽的应用场景。
广泛的工作温度范围（-40°C至85°C）使其适用于各种环境条件，提高了产品的可靠性和适应性。
该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、数码相机和其他需要高性能和低功耗存储解决方案的嵌入式系统。
H5RS5224CFR-NOC, H5RS5225CFR-NOC
