时间：2025/8/9 5:56:51
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2SK2758 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效开关性能的电子系统中。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。2SK2758通常封装在TO-220或TO-252等常见功率封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：最大55mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-252
2SK2758 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，适用于多种功率应用。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功耗最小化，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件的RDS(on)最大值仅为55毫欧，适用于高电流应用场景，如电源转换器和电机驱动器。
其次，2SK2758具备较高的漏源击穿电压（60V），能够承受较大的电压应力，适用于中高功率系统。其栅极耐压为±20V，提供了更高的驱动灵活性和稳定性。
此外，该MOSFET具有良好的热性能，其封装设计能够有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。TO-220和TO-252封装形式便于安装在散热片上，增强散热效果。
2SK2758还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动损耗，提高整体效率。
最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计需求。
2SK2758 MOSFET由于其高性能特性，广泛应用于多个电子领域。
在电源管理方面，2SK2758常用于同步整流DC-DC转换器、电池充电器和负载开关，其低导通电阻和高电流能力有助于提高能效并减少发热。
在电机控制领域，该器件可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机，其快速开关能力和高耐压性能确保电机驱动系统的稳定性和可靠性。
此外，2SK2758也适用于LED照明驱动、电源逆变器和电源分配系统，能够在高频率下工作，减小系统体积并提高响应速度。
在工业自动化和智能家电中，该MOSFET也常用于各种功率开关电路和负载控制模块，满足多种应用场景下的功率控制需求。
SiHF60N06EY-T2-GE3, IRFZ44N, FDP60N06, 2SK2696
