类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：600mA
　　导通电阻（RDS(on)）：约3Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

2SK3341-01SC MOSFET具备多项优良特性，适用于多种高频率和低功耗应用场景。首先，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），在10V栅极电压下约为3Ω，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，2SK3341-01SC的漏源耐压为100V，支持在中高电压环境下稳定工作，提高了其在不同应用中的适用性。此外，该器件的栅源电压最大可达±20V，具有良好的栅极驱动能力，使其在各种驱动电路中表现出色。
　　这款MOSFET采用SOT-23小型封装，节省空间，适合高密度PCB布局。其低功率耗散为200mW，支持在高温环境下运行而不至于过热损坏。同时，该器件的连续漏极电流为150mA，脉冲漏极电流可达到600mA，满足了短时高电流需求的场合。由于其响应速度快，适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器、电源管理模块等。

2SK3341-01SC MOSFET主要用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电源管理系统、开关稳压器以及电池供电设备中的电源控制模块。该器件也常用于电机驱动电路、LED驱动电路、信号切换电路以及各种低功率电子设备中的开关控制部分。此外，2SK3341-01SC还适用于需要高效率和快速响应的通信设备、工业自动化系统和便携式电子产品中。

2SK3018, 2SK2996, 2SK3340, 2N7002, BS170