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PH3120L,115 发布时间 时间:2025/9/13 22:46:28 查看 阅读:13

PH3120L,115是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管广泛用于高频放大和开关应用,具有良好的线性性能和较高的可靠性。PH3120L采用SOT23封装形式,适用于便携式电子设备和小型电路板设计。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Ptot):300mW
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT23
  增益(hFE):110-800(根据等级不同)
  过渡频率(fT):100MHz

特性

PH3120L,115晶体管具有多个增益等级(hFE),可根据具体需求选择合适的型号,适用于各种通用放大和开关电路。该器件的高频特性使其在射频(RF)和中频(IF)放大器中表现出色。SOT23封装体积小,便于在紧凑的PCB布局中使用,并且具有良好的热性能。此外,该晶体管在宽温度范围内稳定工作,适合工业和消费类应用。
  PH3120L的设计保证了良好的线性度和低失真,适合音频放大器等应用。该晶体管还具备良好的耐压能力和抗静电能力,提高了在复杂电路环境中的可靠性。NXP为该器件提供了完整的技术文档和应用指南,便于工程师快速上手和优化设计。

应用

PH3120L,115广泛应用于便携式电子产品、音频放大器、射频模块、开关电路、传感器接口电路以及各类消费类电子设备中。它也常用于驱动LED、继电器和小型电机等负载。

替代型号

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A

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PH3120L,115参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.65 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4457pF @ 10V
  • 功率 - 最大62.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
  • 包装带卷 (TR)