类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：200A
　　漏极功耗（PD）：200W
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（典型值3.5mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

2SK3321具有多项显著的技术特性，首先是其低导通电阻，这使得在大电流工作时能够减少功率损耗，提高系统效率。由于采用了先进的沟槽式MOSFET结构，该器件能够在高频率下稳定运行，从而减小了外部电感和变压器的尺寸，适用于高频开关应用。
　　其次，2SK3321具备较高的耐压能力，漏极-源极电压（VDS）为60V，适合中高压电源应用，例如DC-DC转换器、电池管理系统和电源供应器。同时，其栅极-源极电压最大可达±20V，确保在各种驱动条件下保持稳定工作，避免因过压而导致的误触发或损坏。
　　此外，2SK3321的最大连续漏极电流高达200A，适用于高功率负载的应用，例如电机驱动和电源管理模块。其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行，延长器件的使用寿命。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，适应各种严苛的工作环境，如工业自动化设备、汽车电子系统和户外电源设备。同时，其漏极功耗为200W，表明该MOSFET具有良好的热管理能力，能够在高负荷下持续工作而不发生热失效。

2SK3321广泛应用于多个高功率领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和电池充电电路，能够有效提升能量转换效率并减小系统体积。在电机控制方面，2SK3321可用于无刷直流电机驱动、电动工具和电动车控制系统，其高电流能力和低导通电阻有助于提升电机的响应速度和能效。
　　此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备中的开关电源模块，用于驱动继电器、电磁阀和高功率LED照明系统。由于其优异的热性能和可靠性，2SK3321还被广泛应用于汽车电子系统，例如车载逆变器、起停系统和车载充电器等。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也被用作高效率的功率开关，以实现高效的能量转换。
　　对于需要高可靠性和高效率的电子系统设计，2SK3321是一个理想的选择。它的高耐压、大电流能力和低导通电阻，使得它在各种高功率开关应用中表现出色，适用于现代电力电子设备对高效、紧凑和可靠性的高要求。

SiHF60N200T, IRF1404, IXFH200N60P