时间：2025/5/7 13:24:12
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IRFH8311TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频开关应用。其封装形式为 TO-252-3 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
该型号主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等领域，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：26A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：7nC
输入电容：1040pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IRFH8311TRPBF 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 3.5mΩ（典型值），这有助于减少导通损耗，特别适用于大电流应用场合。
此外，该器件具有较低的栅极电荷，可实现快速开关切换，从而减少开关损耗。
它还具备较高的工作结温范围（-55℃ 至 175℃），使其能够在极端温度环境下稳定运行。
其小型化的 TO-252-3 封装节省了电路板空间，同时支持高效的表面贴装生产流程。
该芯片广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池保护电路
5. 负载开关
6. 各类高效能功率转换设备
IRFH8312TRPBF, IRLR8311TRPBF
