2SK3262是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,主要用于高频开关应用和电源管理领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,适用于各种高效率的电源系统,如DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器和功率放大器。2SK3262采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,能够满足高功率密度设计的需求。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):200V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):17A(最大)
导通电阻(RDS(on)):0.095Ω(最大)
功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
晶体管配置:单个MOSFET
2SK3262具备多项优异的电气和热性能,适用于高功率开关应用。其主要特性包括:
? 低导通电阻(RDS(on)):该器件的最大导通电阻仅为0.095Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
? 高耐压能力:漏源电压(VDS)额定值为200V,使其适用于高电压应用,如工业电源和马达控制。
? 高电流容量:漏极电流最大可达17A,满足大功率负载的需求。
? 优良的热稳定性:采用TO-220封装,具备良好的散热性能,确保在高功率工作条件下的稳定运行。
? 快速开关特性:具有较低的栅极电荷(Qg)和开关损耗,适合高频开关电源设计。
? 宽栅极电压范围:允许使用±30V的栅极驱动电压,兼容多种驱动电路方案。
? 高可靠性:适用于工业级温度范围(-55°C至+150°C),在严苛环境下仍能稳定工作。
这些特性使得2SK3262成为高性能电源转换和功率控制应用的理想选择。
2SK3262广泛应用于需要高效率和高功率处理能力的电子系统中。典型的应用包括:
? DC-DC转换器:在高功率DC-DC转换器中作为主开关元件,提供高效的电压转换。
? 电机驱动器:用于控制电机的启停和速度调节,特别是在工业自动化和机器人系统中。
? 电池管理系统:作为充放电控制开关,确保电池组的安全高效运行。
? 功率放大器:在音频或射频功率放大器中作为输出开关,提供高保真信号输出。
? 工业电源:用于各类工业设备的电源系统中,如变频器、伺服驱动器和不间断电源(UPS)。
? 电源管理模块:在高效率电源模块中作为关键开关元件,实现节能和小型化设计。
? 电动车和新能源系统:应用于电动车的充电模块、逆变器以及太阳能逆变器等新能源设备中。
由于其高耐压、低导通电阻和高电流能力,2SK3262在上述应用中能够提供出色的性能和可靠性。
SiHF20N20C, FQA18N20C, IRFPG50, 2SK2545