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PTZTE2516B 发布时间 时间:2025/4/30 16:00:18 查看 阅读:5

PTZTE2516B是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关和功率转换应用。它采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合需要高效能和高可靠性的电子电路设计。
  该器件通常用于电源管理、电机驱动、负载切换等场景,其卓越的性能使其成为许多工业和消费类应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  总栅极电荷:79nC
  输入电容:2140pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

PTZTE2516B具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力,能够支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,减少了开关损耗。
  4. 增强的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
  5. 小尺寸封装,节省PCB空间,便于设计布局。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

PTZTE2516B广泛应用于各种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 直流-直流转换器和升压/降压模块。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 汽车电子中的电机驱动和电磁阀控制。
  5. 工业自动化设备中的功率转换与保护电路。
  6. 高效照明系统的驱动电路。

替代型号

IRFP2907, FDP18N30E, IXYS2N60G

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PTZTE2516B参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)16.9V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 12V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)12 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装PMDS
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称PTZTE2516B-NDPTZTE2516BTR