时间：2025/7/11 19:58:58
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HFM207是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效能功率转换应用中表现出色。
该器件采用TO-220封装形式，具备出色的散热性能，适用于对功率密度要求较高的场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并支持高频操作。
3. 高电流承载能力，能够满足大功率应用需求。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保设计，适合现代绿色能源解决方案。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高侧或低侧开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业控制及汽车电子中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP20NF50
FQP27P06
