2SK322WQ 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关应用。该器件采用小型表面贴装封装,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等低电压功率应用。该MOSFET具有低导通电阻、高速开关特性以及良好的热稳定性,适用于便携式电子设备和高效能电源系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):1.5A
最大漏-源电压(VDS):30V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):2.6Ω(典型值,VGS=10V)
栅极电荷(Qg):7.5nC(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOT-23
2SK322WQ MOSFET具有多项优良特性,适合高频和低功耗应用。
首先,该器件采用先进的沟槽工艺制造,具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。
其次,该MOSFET具有较小的输入电容和栅极电荷(Qg),有助于实现高速开关操作,减少开关损耗,适用于高频DC-DC转换器等应用。
此外,该器件采用SOT-23封装,体积小、重量轻,适合高密度PCB布局,同时具备良好的散热性能。
其栅极驱动电压范围较宽(VGS=±20V),使其能够兼容多种控制电路,增强了设计的灵活性。
最后,该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的可靠性,可在宽温度范围内稳定运行,适用于工业和消费类电子设备。
2SK322WQ MOSFET广泛应用于多种低功率电子系统中。
在电源管理方面,该器件适用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关,能够有效提升转换效率并降低功耗。
由于其高速开关特性,2SK322WQ常用于高频开关电源和便携式设备中的电源调节电路。
在控制电路中,该MOSFET可用于驱动LED、小型电机或其他负载,提供精确的开关控制。
此外,该器件也适用于电池供电设备、智能卡读写器、小型充电器以及各类传感器控制模块。
因其SOT-23封装的小型化特点,2SK322WQ非常适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
2SK2313, 2SK301, 2N3904