类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：9A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、SIP等

2SK3174A具有多项优异的电气和机械特性，使其适用于高要求的功率电子应用。
　　首先，其最大漏极电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换器和工业控制系统。其次，最大漏极电流为9A，在适当的散热条件下可支持较大的负载电流，确保在高功率应用中的稳定运行。
　　该MOSFET的导通电阻约为0.45Ω，较低的RDS(on)值意味着在导通状态下产生的功率损耗较小，有助于提高系统的能效和降低发热。此外，其栅极阈值电压范围为2V~4V，确保在常见的控制电路中可以可靠地驱动该器件。
　　2SK3174A的最大功耗为50W，结合其良好的热稳定性，使其在高温环境下仍能保持稳定的性能。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和部分汽车电子应用。
　　该MOSFET通常采用TO-220封装，具有良好的散热能力，适合高功率应用。此外，SIP等封装形式也可用于不同的PCB布局需求。

2SK3174A广泛应用于各种高功率和高频电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关或同步整流器，提高电源转换效率。在DC-DC转换器中，它可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的电压调节。
　　该器件也适用于马达控制电路，如电动工具、风扇和泵的驱动系统。在这些应用中，2SK3174A能够承受较大的电流和电压波动，确保马达平稳运行。
　　此外，它还可用于负载开关、逆变器和功率放大器等应用。在工业自动化设备和智能家电中，该MOSFET可用于控制高功率负载的开关操作。
　　由于其高耐压和良好的热稳定性，2SK3174A也可用于部分汽车电子系统，如车载电源管理系统和LED照明驱动器。

2SK2696、2SK2141、2SK1530、2SK1172、IRF840、IRF740