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AUIRLR3705Z 发布时间 时间:2025/6/23 10:29:48 查看 阅读:7

AUIRLR3705Z 是一款由英飞凌(Infineon)生产的车规级功率MOSFET,采用P沟道技术。该器件主要应用于汽车电子领域,具有高可靠性、低导通电阻以及出色的热性能等特性,适用于负载开关、DC-DC转换器和电池保护等应用。其封装形式为TO-Leadless(TOLL),能够提供高效的功率密度和卓越的散热表现。

参数

类型:P-channel MOSFET
  电压等级(Vds):30V
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,@ Vgs=-4.5V)
  连续漏极电流(Id):169A
  栅极电荷(Qg):25nC
  反向恢复时间(trr):45ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装:TOLL(TO-Leadless)

特性

AUIRLR3705Z具备非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。此外,该器件在高温环境下依然保持稳定的性能,非常适合汽车环境中的苛刻要求。
  由于采用了先进的制造工艺,AUIRLR3705Z还具备良好的抗雪崩能力和强健的短路耐受能力。它的紧凑型无引脚封装进一步优化了PCB空间利用率,同时增强了热传导效果。
  该产品符合AEC-Q101标准,确保其在汽车应用中的高度可靠性和耐用性。

应用

这款MOSFET广泛应用于汽车行业的多种场景,包括但不限于发动机控制单元(ECU)、启动停止系统、电动助力转向系统(EPS)、车载充电器(OBC)以及各种DC-DC转换器电路。此外,它也适用于工业领域中需要高效功率管理的地方,例如服务器电源和电信设备中的负载开关功能。

替代型号

IRLR3705Z, AUIRLR3706Z

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AUIRLR3705Z参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 42A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件