LMSZ5256BT1G 和 MMSZ5256BT 是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的小信号表面贴装齐纳二极管,主要用于电压参考、电压调节和保护电路中。该器件采用SOD-123表面贴装封装,适合高密度电路设计。该齐纳二极管的额定齐纳电压为13V,适用于低功耗应用。该器件广泛用于电源管理、电池供电设备、电压检测电路以及便携式电子设备中。
齐纳电压(Vz):13V
齐纳电流(Iz):5mA
最大功耗(Ptot):200mW
封装形式:SOD-123
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-65°C至150°C
最大反向漏电流(IR):100nA(@ Vr=10V)
LMSZ5256BT1G/MMSZ5256BT 齐纳二极管具有多种优良特性,适用于广泛的电子应用。首先,其齐纳电压精度高,能够在宽温度范围内保持稳定的电压参考,这对于精密电路设计至关重要。该器件的齐纳电压公差通常在±5%以内,从而确保了在电压参考和调节应用中的可靠性。
其次,该齐纳二极管采用了SOD-123小尺寸封装,非常适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。其表面贴装设计不仅节省空间,还能简化PCB布局和自动化装配流程,提高生产效率。
此外,LMSZ5256BT1G/MMSZ5256BT 具有良好的热稳定性和快速响应能力,能够在不同负载条件下保持稳定的输出电压。其最大功耗为200mW,能够在中低功率应用中提供可靠性能。工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端环境下正常工作,例如汽车电子、工业控制系统等应用中。
该器件还具有较低的反向漏电流,在10V反向电压下的漏电流不超过100nA,有助于降低待机功耗,提高整体能效。这使得它非常适合用于低功耗电路设计,如电池管理系统、传感器接口电路等。
最后,LMSZ5256BT1G 与 MMSZ5256BT 在电气特性上基本一致,主要区别在于制造商和包装方式,因此在多数应用中可以互换使用。
LMSZ5256BT1G/MMSZ5256BT 主要用于需要稳定13V电压参考或调节的电路中。典型应用包括电源管理系统中的电压基准、电池充电器中的过压保护、DC-DC转换器的反馈控制以及信号调节电路中的电压限幅。
在消费类电子产品中,该器件常用于智能手机、平板电脑、数码相机等设备中的电源管理模块,以确保系统电压稳定,防止过压损坏关键IC。此外,它也可用于电压检测电路,通过比较器或微控制器检测输入电压是否超过设定阈值,从而实现保护功能。
在工业和汽车电子中,该齐纳二极管可用于传感器接口电路中的参考电压源,确保测量精度。它还可用于模拟电路中的偏置电压设置,如运算放大器的偏置电压、ADC/DAC的参考电压等。
另外,该器件也可用于ESD保护电路中,作为初级保护器件或与TVS二极管配合使用,提高系统的抗静电能力。由于其响应速度快、漏电流低,因此在高可靠性应用中表现优异。
MMSZ5256BTR, LMSZ5256BT3, MMSZ5256BS, BZX84C13