类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
　　最大漏-源极电压（VDS）：60V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.8mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

2SK3060G3 MOSFET具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻，典型值为2.8毫欧姆，这显著降低了在高电流工作状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件的漏极电流额定值高达120A，适合用于高功率输出的电源转换器中。
　　此外，2SK3060G3采用了高耐压设计，漏-源极击穿电压为60V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于各种DC-DC变换器和负载开关应用。该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，通常在10V驱动电压下即可实现完全导通，兼容常见的MOSFET驱动电路。
　　封装方面，2SK3060G3通常采用TOLG（TO-263）表面贴装封装，具备良好的热管理性能，能够有效散发工作时产生的热量，从而提高器件的稳定性和寿命。这种封装形式也便于PCB布局和自动化生产。
　　2SK3060G3还具有优异的雪崩能量承受能力，能够在突发短路或过载情况下提供额外的保护。其工作温度范围从-55℃到+175℃，表现出良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。

2SK3060G3主要应用于高效率开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率控制电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET也非常适合用于负载开关、电机驱动器以及服务器和通信设备的电源模块中。

SiR178DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, AO4407A