APM3007NU是一款由Advanced Power Technology生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频率开关应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术,提供了卓越的热性能和电流处理能力,使其适用于各种电源管理和功率转换电路。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大漏极电流(Id):7.5A
导通电阻(Rds(on)):0.045Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):14nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
APM3007NU的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高效率。此外,该器件具有快速开关能力,适用于高频应用,如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。其TO-252封装形式提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET还具有高雪崩能量耐受能力,能够承受瞬时过载条件,提高了系统的可靠性。此外,APM3007NU的栅极驱动电压范围较宽,通常在4.5V至20V之间,使其兼容多种驱动电路设计。
该器件的制造工艺确保了良好的一致性和可靠性,适用于工业和消费类电子应用。
APM3007NU广泛应用于各种电源管理电路中,包括DC-DC降压/升压转换器、电池充电器、负载开关、电源管理模块以及电机控制电路。它也常用于便携式电子设备中的电源管理解决方案,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。此外,该MOSFET适用于工业自动化设备和电源适配器等应用。
Si7461DP, IRF7413, FDS6680