型号：2SK304
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：SOT-23
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：50mA（@ Ta=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：100mA
　　功耗PD：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻RDS(on)：约10Ω（@ VGS=10V, ID=10mA）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V（@ ID=1mA, VDS=VGS）
　　输入电容Ciss：约25pF（@ VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：约8pF
　　反向传输电容Crss：约3pF
　　栅极电荷Qg：典型值为2nC

2SK304作为一款高性能的小信号N沟道MOSFET，具备多项优异的技术特性，使其在低功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)确保了在导通状态下能量损耗最小化，从而提升整体系统的能效表现，这对于电池供电设备尤为重要。其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的设计复杂度并减少开关延迟时间，提高系统响应速度。
　　另一个关键特性是其良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），这使得2SK304能够在恶劣环境条件下可靠运行，包括高温工业环境或低温户外设备。同时，其SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备较好的散热性能，能够有效将内部产生的热量传导至外部环境，防止因过热导致性能下降或损坏。
　　此外，2SK304的阈值电压范围适中（1.0V~2.5V），可在多种逻辑电平下正常开启，兼容3.3V、5V甚至部分低电压微控制器输出信号，增强了其在数字控制电路中的适用性。输入、输出及反向传输电容数值较低，有助于减少高频应用中的寄生效应，提升开关频率上限，适用于高达数百kHz的开关电源设计。
　　该器件还具备较强的抗静电放电（ESD）能力，能够在装配和使用过程中承受一定程度的静电冲击，提高了生产良率和产品长期使用的可靠性。综合来看，2SK304凭借其小型化、高效率、高稳定性和易驱动等特点，成为众多低功率开关应用中的理想选择。

2SK304广泛应用于各类需要小电流开关控制的电子电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的待机电源切换与负载控制；在DC-DC升压或降压转换器中用作同步整流开关或驱动级控制元件，以提高转换效率并减小整体方案尺寸。
　　此外，它也常用于电池供电系统中的充放电控制电路，例如锂离子电池保护板中作为辅助开关管使用，配合主控IC实现过流、过压保护功能。在传感器信号调理电路中，2SK304可用于模拟开关或电平转换，实现微弱信号的通断控制。
　　工业自动化领域中，该器件可应用于PLC输入输出模块的小信号切换、继电器驱动缓冲级或光耦输出侧的负载开关。在通信设备中，如无线模块、RF前端控制电路，2SK304可用于天线切换、功率放大器使能控制等功能。
　　由于其封装紧凑且功耗低，也适合用于高密度贴片组装的消费类电子产品主板上，执行LED背光控制、音频路径切换、USB端口电源管理等任务。总之，凡是需要低电压、小电流、高频开关操作的场合，2SK304都能提供稳定可靠的性能支持。

2SK1762, 2SK2039, 2SK2040