时间：2025/9/14 8:57:43
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BUK7M6R0-40HX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。这款MOSFET采用先进的Trench技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，能够在高电流和高频率条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：120A
漏极-源极电压（VDS）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：Power-SO10
BUK7M6R0-40HX 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。
该器件采用了NXP的高级Trench MOSFET工艺，实现了更高的性能和可靠性。其高耐压能力（VDS = 40V）使其适用于多种中等电压功率转换应用。
此外，该MOSFET具有出色的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定运行，延长器件寿命并提高系统可靠性。
封装形式为Power-SO10，该封装不仅提供了良好的电气性能，还具备良好的散热能力，适用于空间受限的高密度PCB设计。
该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而降低系统成本和体积。
BUK7M6R0-40HX 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
在电源管理方面，该器件可用于高效能电源模块，提升整体系统的能源利用率。
在汽车电子中，该MOSFET适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等对可靠性要求较高的应用场景。
此外，由于其优异的高频开关性能，也适用于需要快速响应的控制电路中。
IPD120P04P4-07, SQM120EP04, SiSS120DN
