时间：2025/11/8 8:08:30
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UMD22NFHATR是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench结构技术制造，专为高效率、高密度电源应用设计。该器件封装在紧凑的SOT-563（SC-88A）小型表面贴装封装中，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池管理电路等场景。UMD22NFHATR的额定电压为20V，最大连续漏极电流可达1.7A（在TA=25°C时），具备良好的热稳定性和可靠性。由于其超小型封装特性，特别适合对空间要求极为严格的移动终端产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品绿色制造的要求。器件内部结构经过优化，能够有效降低寄生电容和导通损耗，从而提升整体系统能效。UMD22NFHATR还具备优异的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在复杂电磁环境下的工作稳定性。
型号：UMD22NFHATR
制造商：Rohm Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
封装/外壳：SOT-563 (SC-88A)
通道数：双通道
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：1.7A @ TA=25°C
脉冲漏极电流(ID_pulse)：4.8A
导通电阻(RDS(on))：95mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻(RDS(on))：75mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：110pF @ VDS=10V
输出电容(Coss)：50pF @ VDS=10V
反向传输电容(Crss)：7pF @ VDS=10V
栅极电荷(Qg)：3.5nC @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
UMD22NFHATR采用罗姆专有的高性能沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，尤其在低栅极驱动电压下仍能保持出色的导通能力，使其非常适合用于3.3V或更低电压供电系统的开关控制。其RDS(on)在VGS=2.5V时仅为75mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能源利用效率。器件为双N沟道结构，两个独立通道可以并联使用以承载更大电流，也可分别用于不同的功能模块，例如同步整流或双向负载切换。
该MOSFET的小型化SOT-563封装不仅节省PCB空间，而且具有优良的热传导性能，能够在有限的空间内实现高效的热量散逸。其寄生参数经过精心优化，输入电容仅为110pF，有助于减少高频开关过程中的驱动功耗，提高开关速度。同时，较低的Crss（反向传输电容）有效抑制了米勒效应，避免在高速开关过程中出现误触发现象，提升了电路的动态响应能力和稳定性。
UMD22NFHATR的工作结温最高可达+150°C，具备出色的热稳定性与长期可靠性，可在高温环境下持续运行。器件还内置了良好的ESD防护机制，人体模型（HBM）耐压可达±2000V，增强了生产装配过程中的抗静电能力。此外，该器件无铅、无卤素，符合国际环保指令要求，适用于消费类电子产品的绿色设计需求。其高集成度和优异电气性能使其成为现代便携式电子产品中理想的功率开关解决方案。
UMD22NFHATR广泛应用于各类低电压、小尺寸的便携式电子设备中，主要用于电源管理相关的开关控制场合。典型应用包括智能手机和平板电脑中的背光驱动电路、摄像头模块电源开关、USB接口过流保护及热插拔控制。在可穿戴设备如智能手表和TWS无线耳机中，该器件可用于电池充放电路径管理、传感器供电控制以及音频放大器的启停控制，凭借其微小封装和低功耗特性，极大提升了产品集成度与续航表现。
在DC-DC转换电路中，UMD22NFHATR常被用作同步整流开关或负载开关，特别是在升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，配合控制器实现高效能量转换。其快速开关特性和低栅极电荷使其在高频开关电源中表现出色，有助于减小外围元件尺寸并提升整体转换效率。此外，该器件也适用于电池供电的物联网（IoT）节点、便携式医疗设备、微型传感器模块等需要长时间待机和低静态功耗的应用场景。
由于其双通道独立结构，UMD22NFHATR还可用于构建简单的逻辑控制开关阵列，例如在多路信号选择、LED指示灯驱动或多电源域切换电路中发挥重要作用。在工业手持设备和微型电机驱动板上，该MOSFET也可作为小型直流电机的驱动开关，提供可靠的通断控制能力。总之，任何需要在有限空间内实现高效、低功耗功率控制的应用，都是UMD22NFHATR的理想应用场景。
DMG2302UK-7
FDC6302P
AO3402A
