您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SK3019A-TP

2SK3019A-TP 发布时间 时间:2025/6/20 8:40:46 查看 阅读:4

2SK3019A-TP是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,适用于高频、高效率开关应用。该器件采用TO-252表面贴装封装,具有低导通电阻和快速开关特性。其主要用途包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和音频放大器等应用领域。
  这款晶体管由松下(Panasonic)生产,广泛用于要求高效能和高可靠性的电子电路中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:8.7A
  脉冲漏极电流:24A
  导通电阻:15mΩ
  总功耗:45W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

2SK3019A-TP的主要特点是其优异的电气性能和可靠性。它具有较低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。同时,该器件具备较高的电流承载能力以及快速开关速度,适合高频应用环境。
  此外,由于采用了先进的制造工艺,这款MOSFET在热管理方面表现突出,能够在较高温度范围内稳定运行。其表面贴装设计也有助于简化PCB布局并提高装配效率。
  其他特点包括:
  - 高可靠性
  - 良好的抗干扰能力
  - 稳定的工作性能
  - 快速开关响应
  - 符合RoHS标准

应用

2SK3019A-TP适用于多种需要高效功率转换的应用场景,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动控制
  - 音频功率放大器
  - 工业自动化设备
  - 电池管理系统(BMS)
  - LED驱动器
  由于其出色的性能,这款MOSFET特别适合那些对效率和散热有较高要求的电子产品设计。

替代型号

2SK3019, IRFZ44N, FDP55N06L

2SK3019A-TP推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2SK3019A-TP参数

  • 现有数量2,930现货
  • 价格1 : ¥3.18000剪切带(CT)3,000 : ¥0.58432卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100mA
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8欧姆 @ 10mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13 pF @ 5 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-523
  • 封装/外壳SOT-523