类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：7A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：0.85Ω（最大值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

ITU07N65R具备多个关键特性，使其在多种电力电子应用中表现出色。首先，该器件的高耐压能力达到650V，适用于高电压输入的电源转换系统。其次，其导通电阻较低，最大值为0.85Ω，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，ITU07N65R具有较高的电流承载能力，在25°C环境温度下可连续通过7A漏极电流，适合中等功率应用。
　　该器件的栅极电压范围为±20V，具备良好的栅极保护能力，防止因过高的驱动电压而导致损坏。同时，其热稳定性优异，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性和寿命。
　　TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，适合自动化生产，提高组装效率。此外，该封装结构坚固，具备较好的机械稳定性和环境适应性。
　　ITU07N65R的开关特性也非常优异，具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适合高频开关应用。其内部结构优化，减少了寄生电容和电感效应，从而提高开关性能并降低电磁干扰（EMI）。
　　综上所述，ITU07N65R是一款性能优异的高压N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率转换应用。

ITU07N65R广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路、负载开关以及工业自动化控制系统等。其高耐压和低导通电阻特性使其在电源转换系统中表现出色，能够有效提升系统效率和稳定性。此外，该器件也适用于消费类电子产品、汽车电子系统和工业设备中的功率控制应用。

STP8NM65M5、FQP7N65C、IRF840、TKA7N65U