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2SK3003 发布时间 时间:2025/12/29 13:34:47 查看 阅读:20

2SK3003 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关应用和功率放大电路。该器件具有低导通电阻、高频响应和良好的热稳定性,广泛用于电源转换、DC-DC转换器、马达驱动器和音频放大器等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):50A
  漏源击穿电压(VDS):60V
  栅源击穿电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值0.014Ω(典型值0.011Ω)
  功率耗散(PD):200W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220、TO-247等

特性

2SK3003 MOSFET 具有以下显著特性:
  首先,它的低导通电阻(RDS(on))能够有效降低导通损耗,提高系统的整体效率,这在高电流应用中尤为重要。该特性使得该器件适用于需要高效能和低发热的电路设计。
  其次,2SK3003 支持高频率工作,适用于高频开关电源和逆变器等应用,能够实现更快的开关速度,从而减小外部元件的尺寸并提高系统的响应速度。
  此外,该器件具有良好的热稳定性和高功率耗散能力(200W),可在较高温度下稳定工作,增强了其在严苛环境下的可靠性。
  其封装形式多样,包括TO-220和TO-247,便于根据不同的电路布局和散热需求进行选择。TO-247封装尤其适用于高功率应用,具有更好的散热性能。
  最后,2SK3003 的栅极驱动电压范围较宽(通常为10V~20V),兼容多种驱动电路设计,提高了设计的灵活性。

应用

2SK3003 主要应用于以下领域:
  在电源管理方面,该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源中,以实现高效率的能量转换。由于其低导通电阻和高频率特性,特别适用于高功率密度电源设计。
  在马达控制领域,2SK3003 被广泛用于马达驱动器和H桥电路中,支持大电流负载的快速开关控制,提升系统的响应速度和稳定性。
  在音频放大器中,2SK3003 可用于构建高保真功率放大电路,特别是在D类放大器中,其高频特性有助于提高音频输出的质量并降低功耗。
  此外,该器件还适用于逆变器、UPS系统、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制设备等需要高可靠性和高效率的电子系统。

替代型号

2SK3004, 2SK2996, IRFZ44N, IRF3205

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2SK3003参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)175 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)850 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)35W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220F
  • 封装/外壳TO-220-3 整包