时间：2025/9/20 3:18:44
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2SA1179-5-TB-E是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道晶体管，属于双极结型晶体管（BJT）类别，广泛应用于信号放大与开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为TO-236或类似封装），适合高密度PCB布局，特别适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。2SA1179-5-TB-E作为通用PNP型晶体管，具备良好的电流控制能力和稳定的电气性能，在消费电子、工业控制、通信设备等领域均有广泛应用。其设计注重低功耗与高可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，符合现代电子产品对小型化、高效能和环保标准的要求。此外，该型号通过了RoHS合规认证，不含铅等有害物质，适用于无铅焊接工艺。由于其标准化的引脚排列和电气特性，2SA1179-5-TB-E常与其他互补型NPN晶体管配对使用，构建推挽输出级或其他模拟/数字功能模块。
型号：2SA1179-5-TB-E
类型：PNP晶体管
封装形式：TO-236AB
极性：P沟道
最大集电极-发射极电压（VCEO）：-150V
最大集电极电流（IC）：-150mA
最大总耗散功率（Ptot）：200mW
直流电流增益（hFE）：最小40（在IC = -2mA时）
过渡频率（fT）：120MHz
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
集电极-基极电压（VCBO）：-150V
发射极-基极电压（VEBO）：-5V
饱和电压（VCE(sat)）：典型值-0.3V（在IC = -10mA, IB = -1mA条件下）
2SA1179-5-TB-E具备出色的高频响应能力，其过渡频率可达120MHz，使其不仅适用于直流和低频开关应用，还能在射频小信号放大电路中表现出色。该晶体管的直流电流增益（hFE）具有良好的一致性，典型值范围从40到300以上，具体取决于测试条件和批次，确保在各种负载条件下都能实现稳定的放大性能。
该器件的最大集电极-发射极电压为-150V，能够承受较高的反向电压应力，适用于需要较高电压裕度的电源管理或接口电路中。同时，其最大集电极电流为-150mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯或逻辑门电路等常见负载。
热稳定性方面，2SA1179-5-TB-E可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应极端环境下的运行需求。封装采用小型表面贴装技术（SMT），有利于自动化装配，提高生产效率并降低制造成本。其200mW的功率耗散能力在同类封装中处于合理水平，配合适当的PCB布线散热设计可进一步提升可靠性。
此外，该晶体管具有较低的饱和压降，有助于减少导通状态下的能量损耗，提升系统整体能效。在开关应用中，快速的开启与关闭响应时间减少了交叉导通风险，提升了电路的安全性和响应速度。综合来看，2SA1179-5-TB-E是一款性能均衡、用途广泛的通用型PNP晶体管，适合用于电压转换、电平移位、信号缓冲等多种模拟与数字电路拓扑结构中。
2SA1179-5-TB-E广泛应用于各类中小功率电子系统中，典型应用场景包括但不限于：音频信号前置放大器中的偏置与增益控制电路；便携式设备中的LED背光驱动或按键灯控制；电池供电系统的电源开关与待机模式切换；工业控制板上的继电器驱动或传感器信号调理模块；通信接口电路中的电平转换与阻抗匹配；以及各类消费类电子产品如电视、音响、遥控器、智能家居控制器中的逻辑控制与信号处理单元。此外，由于其高电压耐受能力，也可用于高压侧开关配置中，配合NPN互补器件构成完整的推挽输出结构，实现高效的双向控制功能。其小型化封装也使其成为手机附件、可穿戴设备和物联网终端等空间敏感型产品的理想选择之一。
KSC2690YFTA,KSA1179-Y,2SA1834-TB-E
