型号：2SK2975
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　阈值电压（Vth）：4.0 V（典型值）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55 Ω（最大值，@ Vgs=10V, Id=3.5A）
　　输入电容（Ciss）：1000 pF（典型值，@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：280 pF（典型值，@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管（或具有慢速体二极管）
　　功耗（Pd）：150 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220 / TO-220F

2SK2975具备多项关键特性，使其成为高性能电源转换应用的理想选择。首先，其高达600V的最大漏源电压使其适用于高压环境下的操作，例如离线式开关电源设计，在交流输入整流后产生的高压直流母线上进行开关控制。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，有助于提高电源系统的整体效率，并减少对散热系统的要求。这在紧凑型电源设计中尤为重要。
　　该MOSFET采用了优化的平面栅结构，确保了良好的栅极控制能力与稳定性。其栅极阈值电压约为4.0V，可在常见的逻辑电平驱动电路下实现可靠的开启控制，兼容多种PWM控制器输出信号。同时，±30V的栅源电压耐受能力增强了器件在噪声干扰较强的应用环境中的鲁棒性，防止因过压导致栅氧化层击穿而损坏。
　　另一个重要特性是其出色的开关性能。尽管作为一款高压MOSFET，2SK2975仍具备较快的开关速度，得益于较低的输入和输出电容值，使得充放电时间缩短，从而减少开关过程中的能量损耗。这对于高频工作的DC-DC变换器尤其有利，可以支持更高的开关频率，进而减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　此外，2SK2975具有优良的热性能，TO-220封装提供了良好的热传导路径，允许将热量有效地传递至外部散热器。其最大功耗可达150W（在壳温25°C条件下），表明其在适当散热条件下可承载较大的持续电流负荷。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应从低温户外设备到高温工业环境的各种应用场景。
　　最后，该器件具备一定的抗雪崩能力，能够在非钳位感性关断事件中承受一定的能量冲击，提升了系统在异常工况下的安全裕度。这些综合特性使2SK2975在可靠性、效率和成本之间实现了良好平衡，广泛受到电源工程师青睐。

2SK2975广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效、高压开关能力的场合。最常见的用途之一是作为主开关管应用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）等拓扑结构的开关电源（SMPS）中，特别是在AC-DC适配器、电视电源板、LED驱动电源以及工业电源模块中表现优异。其600V的耐压能力足以应对全球范围内通用输入电压（85–265V AC）整流后的高压直流母线要求。
　　在DC-DC转换器中，无论是升压（Boost）、降压（Buck）还是隔离型拓扑，2SK2975均可作为功率开关使用，尤其适合中等功率等级（100W–500W）的设计。由于其较低的导通电阻和良好的开关特性，有助于实现较高的转换效率，满足能源之星等能效标准要求。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路中，如小型家用电器中的直流无刷电机控制、风扇调速系统以及电动工具中的H桥驱动模块。在这些应用中，MOSFET需频繁地进行高速开关动作，2SK2975的快速响应能力和热稳定性保证了驱动系统的平稳运行。
　　在照明领域，尤其是大功率LED恒流驱动电源中，2SK2975可用于初级侧开关，配合电流检测和反馈控制实现精确的输出调节。其高耐压特性有助于简化外围电路设计，减少元器件数量。
　　工业自动化设备中的电源模块、逆变器、UPS不间断电源以及太阳能微逆变器等也是其典型应用场景。总之，凡涉及中高电压、中等电流、高效率开关控制的电子系统，2SK2975均是一个可靠且经济的选择。

2SK2976, 2SK2545, 2SK2641, FQPF6N60C, K2743, 2SK3564