时间：2025/8/9 9:36:21
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2SK2898-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式结构，提供了较低的导通电阻和高效率的功率转换性能。2SK2898-01 适用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：5.3mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220AB
2SK2898-01 MOSFET采用了先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻，提高了功率转换效率。该器件具有极低的Rds(on)值（典型值为5.3mΩ），在高电流应用中可有效降低功率损耗，提高系统整体效率。
此外，2SK2898-01 具有快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其优化的栅极设计减少了开关过程中的能量损耗，提高了动态响应能力。该器件还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行。
封装方面，2SK2898-01采用标准TO-220AB封装，便于安装和散热管理，适用于多种电路设计环境。其引脚排列标准化，便于与其他功率MOSFET器件兼容，提高了设计灵活性和可替换性。
该MOSFET在工作温度范围内具有良好的电气稳定性，适用于各种工业和消费类电子设备。其±20V的栅源电压容限提供了更高的使用安全性，减少了栅极击穿的风险。
2SK2898-01 主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、高效电源管理模块、电池供电设备、负载开关控制以及各类需要高效功率转换的电子系统中。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件特别适合用于高效率、高频率的开关电源设计。
SiR34LA, IRF3710, FDS6680, NTD60N03R
