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FJ43X222K302EGG 发布时间 时间:2025/7/1 9:34:08 查看 阅读:9

FJ43X222K302EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效率和低损耗的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而有效提升系统的整体性能。
  这款器件支持高频工作环境,并能在恶劣的工作条件下保持稳定的性能表现,广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子领域。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:18A
  导通电阻(最大值):0.03Ω
  栅极电荷:45nC
  连续漏极电流:25A
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  存储温度范围:-65℃ to +150℃

特性

FJ43X222K302EGG具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,可适应高频应用需求,同时降低电磁干扰。
  3. 强大的散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
  4. 优异的抗浪涌能力和短路保护功能,提升了产品的可靠性和使用寿命。
  5. 宽广的工作温度范围,使其能够胜任各种极端环境下的应用。

应用

该芯片适用于多种电力电子转换设备,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS),例如适配器、充电器及不间断电源(UPS)。
  2. 各类电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 电动车和混合动力汽车中的DC-DC转换器与逆变器。
  4. 工业自动化设备中的功率控制器和变频器。
  5. 太阳能光伏系统中的MPPT控制器和逆变器模块。

替代型号

FJ43X222K302EGH, FJ43X222K302EGL

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