类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：125W（Tc=25℃）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

JX1N2835 具备多个突出的电气和热性能特性，使其在功率电子设计中备受青睐。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。这对于高电流应用尤为重要，因为低Rds(on)意味着更小的热量生成和更高的能量利用率。
　　其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达120A，适用于高功率密度设计。此外，JX1N2835 的热阻较低，有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　再次，该MOSFET具备良好的栅极稳定性，栅源电压可承受高达±20V，适用于各种驱动电路设计。同时，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器等。
　　最后，JX1N2835 采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的机械强度和热管理性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。

JX1N2835 主要应用于各类功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　在电源管理方面，JX1N2835 常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中，以其低导通电阻和高效率特性，提升电源转换效率并降低能耗。
　　在电机控制和驱动电路中，该器件可作为H桥或半桥结构中的开关元件，用于直流电机、步进电机及无刷电机的控制，确保高效率和高可靠性。
　　此外，JX1N2835 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统、电动助力转向系统（EPS）等，满足汽车应用中对功率器件的高可靠性和耐环境要求。
　　它还可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、光伏逆变器、储能系统以及各类高功率LED驱动电路中。

SiR1N2835, IPB01N2835, FDMS86181, FDBL01N2835