2SK2887TL 时间：2025/12/25 11:37:03 阅读：16

2SK2887TL是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和快速开关特性的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及优良的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。2SK2887TL封装形式为小型表面贴装型（如SOP或类似封装），适合高密度PCB布局，有助于减小整体电源模块的体积。其漏源电压（VDS）额定值通常在600V左右，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于离线式电源系统中的主开关元件。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而显著降低开关损耗，提高系统能效。由于其优化的寄生参数设计，2SK2887TL在硬开关和准谐振电路中均表现出良好的性能。器件符合RoHS环保要求，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，经过严格的生产测试以确保长期运行稳定性。作为一款高性能功率MOSFET，2SK2887TL特别适用于节能型家电电源、LED照明驱动电源、适配器及工业控制电源等应用场景。

参数

型号：2SK2887TL
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：600V
　　连续漏极电流ID：5.0A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：20A
　　栅源电压VGS：±30V
　　导通电阻RDS(on)：≤1.2Ω（@VGS=10V, ID=2.5A）
　　阈值电压Vth：3.0~5.0V
　　输入电容Ciss：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：260pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容Crss：40pF（@VDS=25V）
　　总栅极电荷Qg：35nC（@VDS=480V, ID=5A）
　　最大功耗PD：50W（TC=25°C）
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP Advance 或类似小型表面贴装封装

特性

2SK2887TL具备多项优异的电气与热力学特性，使其在现代开关电源设计中表现突出。首先，其高达600V的漏源击穿电压确保了在高压环境中工作的安全性，尤其适用于AC-DC转换器中面对市电波动时的可靠运行。其次，该器件拥有较低的导通电阻RDS(on)，典型值低于1.2Ω，在额定电流下可显著减少导通损耗，提升整体转换效率。同时，低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）的设计有效降低了开关过程中的能量损耗，使器件更适合高频操作，支持数十kHz至数百kHz的开关频率应用，满足高效小型化电源的需求。
　　该MOSFET采用优化的平面栅结构，提升了器件的一致性和耐用性，同时增强了抗dv/dt干扰的能力，减少了误触发的风险。其阈值电压范围适中（3.0~5.0V），兼容标准逻辑电平驱动电路，便于与PWM控制器直接接口而无需额外的电平转换电路。此外，2SK2887TL具有良好的热稳定性，能够在结温达到+150°C时仍保持正常功能，结合其较小的封装尺寸，通过合理的PCB布局可实现有效的散热管理。
　　器件还具备较强的抗雪崩能力，意味着在发生过压或感性负载突变时，能够承受一定程度的能量冲击而不损坏，提高了系统的鲁棒性。东芝在生产过程中实施严格的质量控制流程，确保每颗芯片都经过老化筛选和参数测试，保障批量使用时的一致性与可靠性。此外，该器件符合无铅和RoHS指令要求，适用于绿色电子产品制造。综合来看，2SK2887TL凭借其高耐压、低损耗、高可靠性和紧凑封装，成为中小功率开关电源领域的重要选择之一。

应用

2SK2887TL主要应用于各类需要高效、高频开关能力的电力电子系统中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中的主开关器件；用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LCD电视电源板等消费类电子产品的内置电源模块；在LED恒流驱动电源中作为功率开关，提供稳定的能量转换效率；也可用于小型逆变器、UPS不间断电源以及工业控制设备中的DC-DC转换电路。
　　由于其高耐压特性，该器件适用于接入交流电网的离线式电源设计，能够在85VAC至265VAC宽输入电压范围内稳定工作。此外，在空调、洗衣机、微波炉等家用电器的内部辅助电源（standby power supply）中也常被采用，以实现待机状态下的低功耗运行。在电机控制应用中，2SK2887TL可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥电路，特别是在对空间有严格限制的设计中，其小型表面贴装封装优势明显。
　　另外，得益于其良好的高频响应特性，该MOSFET也适用于ZVS（零电压开关）或QR（准谐振）模式的电源设计，这些拓扑结构依赖于器件的低电容和快速开关能力来实现更高的效率。在通信设备电源、网络路由器电源单元中，2SK2887TL同样发挥着重要作用。总之，该器件因其综合性能优越，已成为许多中低端功率等级电源设计中的首选MOSFET之一。