电容值：2.2 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：50 V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55 °C 至 +125 °C
　　封装尺寸：0402（1.0 mm × 0.5 mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　直流偏压特性：无明显电容变化
　　频率范围适用性：DC 至 GHz 级别
　　ESR：极低（典型值 < 10 mΩ）
　　ESL：极低（典型值 < 0.3 nH）
　　端接类型：镍障层 + 锡覆盖（Ni/Sn）
　　磁性：非磁性版本，适合敏感射频环境

B82789C0223N001 具备卓越的电气稳定性与高频响应能力，是专为严苛射频环境设计的高性能多层陶瓷电容器。其采用 C0G（也称 NP0）介质材料，确保在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值几乎不随温度变化，具备极高的温度稳定性，电容变化不超过 ±30 ppm/K。这种材料特性使其在需要精确谐振频率控制的应用中表现优异，例如 LC 滤波器、天线匹配网络和压控振荡器（VCO）。
　　该器件的容差仅为 ±0.1 pF，在超小电容值下实现极高精度，满足射频阻抗匹配中对微小调谐的需求。此外，得益于其优化的内部电极叠层结构和低寄生设计，B82789C0223N001 展现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而显著降低高频损耗并提高自谐振频率（SRF），可在 GHz 范围内保持接近理想电容的行为。这对于毫米波通信、5G 射频前端模块以及雷达系统尤为重要。
　　其 0402 小型化封装不仅节省 PCB 空间，还支持自动化高速贴片工艺，适用于大规模生产。端子采用镍锡（Ni/Sn）涂层，提供良好的可焊性和长期可靠性，并通过 AEC-Q200 认证，部分版本可用于汽车级应用。非磁性构造避免了对外部磁场的干扰，特别适合高灵敏度接收链路使用。整体上，该产品在高频性能、尺寸紧凑性与环境适应性之间实现了优秀平衡。

B82789C0223N001 广泛应用于对高频性能要求严格的电子系统中，尤其常见于无线通信领域的射频前端模块。它被广泛用于 5G 宏基站和小型蜂窝基站的功率放大器输出匹配网络，用于精确调节阻抗匹配以最大化功率传输效率并减少反射损耗。在移动终端设备如智能手机和平板电脑中，该电容器用于射频开关模块、Wi-Fi 6E 和蓝牙共存滤波电路以及毫米波天线调谐单元，确保信号清晰稳定。
　　此外，在航空航天与国防电子系统中，该器件可用于雷达收发组件（T/R Module）、电子战系统和卫星通信终端，因其能在宽温域和高振动环境下保持性能稳定而备受青睐。工业领域中，它也常见于高频感应加热控制电路、医疗成像设备的射频激励源以及测试测量仪器如矢量网络分析仪（VNA）的校准标准件。
　　由于其 C0G 特性和高电压耐受能力，该电容器还可用于精密模拟电路中的定时元件、高速 ADC/DAC 的参考电压去耦以及锁相环（PLL）滤波器中的相位补偿。同时，凭借其通过 AEC-Q200 认证的可靠性等级，该器件也被应用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）中的毫米波雷达传感器等汽车电子高频电路中。