时间：2025/9/11 17:58:09
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2SK2876-22是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用中。这款MOSFET采用了先进的平面硅工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点，适用于电源转换器、电机控制、开关稳压器等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：60V
最大漏极电流（ID）：120A
最大功耗（PD）：200W
导通电阻（RDS(on)）：约2.5mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
工作温度范围：-55°C~150°C
2SK2876-22具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其低导通电阻可降低导通损耗，提高系统效率。其次，高电流承载能力使其能够承受较大的负载电流，确保稳定运行。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗热阻能力，能够在高温环境下正常工作。
该MOSFET采用先进的封装技术，确保良好的散热性能，同时具备高抗静电能力，提高了器件的可靠性。此外，2SK2876-22的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和高频电源等。
该器件还具备良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这使其在电机驱动、电源管理和高功率负载切换等应用中具有较高的安全性和稳定性。
2SK2876-22常用于各类高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备和高功率LED照明驱动电路等。其优异的导通特性和高可靠性也使其成为汽车电子系统和新能源设备中的理想选择。
SiHF60N120T、IRF1405、IRF1324S-7PP、FDS6680、2SK3084
